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      電子元器件所能承受的靜電破壞的電壓是多少

      更新時間:2019-01-04      點擊次數:11565

      電子器件所能承受靜電破壞的靜電電壓是多少,相信大家都不知道吧,下面我們就一起來看看吧。

      以下是一些參考資料中給出的數據:

        器件類型

      靜電破壞電壓(V) 

          器件類型     

      靜電破壞電壓(V) 

        VMoS     

        30~1800        

        OP-AMP         

        190~2500        

        M0SFET   

        100~200        

       JEFT           

        140~1000        

        GaAsFET  

        100~300        

       SCL            

        680~1000        

        PROM     

       100            

       STTL           

        300~2500        

        CMoS     

        250~2000        

       DTL            

        380~7000        

        HMOS     

        50~500         

        肖特基二極管   

        300~3000        

         E/DMOS  

        200~1000       

       雙極型晶體管   

        380~7000        

      ECL      

        300~2500       

       石英壓電晶體

        <10000          

      從上表可見大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏,而在干燥的環境中人活動所產生的靜電可達幾千伏到幾萬伏。

      要想獲得某個元器件的所能能承受的靜電電壓要通過試驗才能測得。按照國內標準,一般使用靜電放電敏感度測試儀:

      電子元器件靜電敏感度的試驗主要用ESS-6008/ESS-6002半導體靜電放電模擬試驗器,而用電子元器件組裝成組件、整機的電子設備靜電試驗則用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗器來做試驗。

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